8月20日，【2026强芯榜单】在南京ICDIA创芯大会期间发布。中晶新源自主研发的N沟道 SGT SMT4001AHP 凭借突出的技术创新能力与规模化市场落地表现斩获 “市场先锋奖”。
【2026中国强芯】评选由中国集成电路设计创新联盟组织开展，旨在遴选具有技术竞争力和应用价值的国产芯片。其中，“市场先锋奖” 重点表彰在芯片技术或应用方面取得重大突破、市场占有率领先、客户认可度高、规模化应用成效显著的产品。
SMT4001AHP采用创新安全冗余芯片设计，实现汽车级高安全与“防炸机”特色能力，结合中晶自主创新IDOS SGT专利技术与高功率高散热封装设计，完成最佳匹配，FOM值达成世界一流水准。
导通阻抗低至1.2mΩ（典型值），25℃工作环境下连续电流承载能力高达212A，既保障大电流场景下的稳定运行，也为热管理设计预留充足裕量，有效缓解大功率工况下的温升压力，助力器件在大功率大电流应用设计中，实现高系统效率与长期可靠性。
基于领先产品技术平台的匠心打磨，针对电机领域应用特调优化，达成产品技术能力到细分应用领域最优参数比的垂直整合，降低终端应用的调试难度。
技术领先：采用业界领先的硅基中低压SGT技术，显著降低导通与开关损耗，全方位提升系统效率
性能优异：1.2mΩ超低RDS(ON)，超低Qg，FOM 性能达国际一线水平
强鲁棒性：安全冗余设计、宽SOA，有效应对电机在堵转、急停、加速、过载时形成的电应力冲击
目前，SMT4001AHP 已成为业内SGT明星型号与公司Hero产品。在多应用领域实现大规模出货，并通过龙头/标杆客户的严苛验证，获得市场充分肯定与广泛认可。
此次获奖是行业对中晶技术创新实力与市场价值的高度认可。未来，公司将持续深耕新一代SGT核心技术，加速产品迭代与性能引领，进一步开拓 “高可靠高效能SGT稀缺新品类”，不断为国产功率半导体产业的高质量发展贡献中晶力量。
中晶新源专注高性能功率半导体技术创新，构建SGT、SiC、GaN多技术平台，赋能AI智算与绿色能源产业，以芯片驱动能量转换，助力万物智能与绿色未来。
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