IGBT Discrete_中晶新源(上海)半导体有限公司

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IGBT Discrete
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中晶新源 IGBT Discrete 采用紧凑 TO-247/TO-220 封装,集成反并联二极管,优化开关速度与导通损耗,适配中低功率场景。

⦁ 采用 TO-247/TO-220 紧凑封装,适配空间受限场景​
⦁ 集成反并联二极管,简化电路设计提升可靠性​
⦁ 优化开关速度与导通损耗,降低系统能量消耗​
⦁ 适用于中低功率领域,如伺服驱动、电焊机等
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