600V高压半桥驱动_中晶新源(上海)半导体有限公司

600V高压半桥驱动
600V高压半桥驱动
600V 高压半桥驱动适配 IGBT/MOSFET,兼具高抗扰、全保护、宽温特性,小封装适配工业与新能源逆变场景。​

⦁ 强驱动电流适配 IGBT/MOSFET,覆盖工业、新能源逆变核心功率器件​
⦁ 高 aV/dt 抗干扰应对复杂工况,欠压过流保护 + 防直通死区控制,降低工业 / 新能源逆变设备故障风险​
⦁ 支持 - 40~150℃宽温范围,耐受工业高低温、新能源户外极端环境,保障设备稳定运行​
⦁ 小封装节省安装空间,匹配工业设备、新能源逆变器的小型化布局需求,提升设计灵活性
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