N-ch (100~300V)
中晶新源 100-300V N 沟道 MOSFET,以极低反向恢复电荷(Qrr)、出色导通电阻、适配快速开关与硬开关的高品质因数(FOM)为核心优势,可有效降低系统整体成本,是电摩、大载重无人机、大功率电源、同步整流、AI 服务器、光储充、人形机器人等领域的理想器件选择。
⦁ 极低 Qrr 减开关电荷损耗、降温升,适配大功率电源等高频场景,保障系统稳定
⦁ 出色导通电阻,能稳定承载高负载,适配电摩等大电流场景
⦁ 降系统成本,广适配能源及终端领域,为多行业提供高性价比解决方案