由世纪电源网主办的 “第四届电源行业配套品牌颁奖晚会” 在深圳盛大启幕。该活动旨在表彰电源行业中的优秀企业，助力电源行业技术创新与蓬勃发展。
载誉而归
AI服务器电源行业奖
中晶新源(SiNESEMI)专为高功率密度应用打造的SMT4501ALRNSCG (45V/1.0mΩ/241A/DFN3333-8L-SCG封装) 成功斩获 “AI服务器电源行业奖”。这一殊荣不仅是行业权威机构对产品品质的高度认可，更是对中晶新源赋能AI算力基础设施建设能力的有力背书。
相较传统漏极底置封装解决方案，该源极底置封装在降低功率损耗和提升散热性能上表现更出色，结合器件1.0mΩ超低导通电阻，为工程师优化PCB 空间利用率提供关键技术优势，实现更高的功率密度与极致系统效率，成为应对AI服务器日益增长的高功率密度和系统效率优化需求的理想解决方案。
差异化创新赋能
构筑产品核心竞争壁垒
该产品采用特色DFN3333-8L-SCG源极底置中心栅极（Source Down）封装技术，集成两大核心创新设计，构建差异化竞争优势。在此行业创新标杆产品中，其封装中的芯片采用上下倒置(Flip-clip)技术，源极电位（而非漏极电位）直接连接到PCB散热焊盘，与标准的漏极底置方案相比优势显著，热阻下降20%以上，提供了卓越的热管理能力。
01 国产首发高导热紧凑型DFN3333-8L-SCG封装
高可靠、安全冗余芯片设计，为汽车级可靠性而生
动态参数优化，针对高频应用工匠打磨，显著降低开关损耗
采用双面散热封装，Rtjic低至0.645℃/W，提升散热效率
Rds(on)降低30% ，实现高功率密度和卓越性能
采用Center-Gate技术，支持多个MOSFET并行配置
极低动态寄生效应，可操作在高频1MHz以上
02 封装散热模拟 - 底部不增加散热片
在6层PCB板、双面散热(仅安装正面散热器)的条件下，对器件持续施加3W功率进行测试，结果如下：
DFN3333-8L-SCG (Flip-chip+Dual-cooling)表现最优；结温为109.67°C，较传统PDFN3333-8L封装 (148.15°C) 降低约26%
03 对标世界第一SGT 实测效率优于友商
效率国际领先：中晶SMT4501ALRNSCG(45V)实测峰值效率98.21%，较友商 40V 器件具备显著的设计冗余优势
解决耐压不足痛点：相比友商40V耐压设计，中晶创新突破至45V，更适配AI服务器高频大电流动态负载开关应用场景
产品性能卓越：优化芯片Qrr/Qoss/Qg参数，降低空载损耗，助力DC-DC砖块电源转换效率>98%+
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中晶新源紧跟前沿终端应用，坚定SGT国际领先服务全球客户，持续聚焦高功率密度、高效率、高可靠性的技术研发与产品创新，先人一步撬动市场先机，为标杆客户创新提供更高效价值！通过芯片和封装技术的持续创新迭代与最佳化匹配，全面赋能AI 服务器、工业电源、机器人、轻重载无人机、新能源汽车、绿电储能等高潜、高要求场景应用。以技术创新驱动行业升级，为全球高端电源行业的蓬勃发展贡献力量。
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