SiC SBD_中晶新源(上海)半导体有限公司

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SiC SBD
SiC SBD
中晶新源 SiC SBD ,基于碳化硅宽禁带材料特性与自研芯片设计工艺打造,具备零反向恢复、超低开关损耗、高耐压、低漏电、耐高温 核心特性,结温耐受达 175℃,热导率与功率密度远优于硅基器件。
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