随着人工智能基础设施、高性能计算及智能化电源系统快速发展，低压供电架构对功率器件的效率、可靠性及空间利用率提出更高要求。
依托于股东晶圆厂战略支持，中晶新源持续推动SGT技术演进，推出高性能30V N沟道SGT MOSFET — SMT300UALP / SMT300UALPS。
该系列产品基于自主创新的新一代SGT技术差异化平台，采用紧凑型PDFN5060-8L 封装设计，可满足AI服务器电源 IBC-LV、电池管理 BMS 及高功率密度 DC-DC 转换等架构中的 Hot Swap 及 ORing 关键应用，对低压功率器件在低导通电阻、高脉冲电流承载及优异安全工作区（SOA）等能力的严苛要求。
面向低压大电流应用对高效率、高可靠性及高功率密度的需求，SMT300UALP / SMT300UALPS 通过先进SGT器件结构优化，实现超低导通损耗、高「单脉冲雪崩电流」及增强安全工作区SOA 性能，为AI电源架构及高可靠终端提供更优的器件选择。
SMT300UALP：导通阻抗低至0.32mΩ，导通损耗较友商主流竞品最大降低43%，达业界领先水平。
结合优化的动态参数与开关特性，该器件可有效降低导通损耗，提升电源转换效率，满足高功率密度电源应用对高效率运行的需求。
SMT300UALPS：兼具增强型SOA性能与0.39mΩ超低导通阻抗，在低导通损耗与高瞬态可靠性之间实现更优性能平衡。
单脉冲10ms测试条件下，SMT300UALPS的SOA能力较友商同类产品提升36%~11%, 为AI服务器Hot Swap及ORing应用提供更高设计裕量。
结合自主创新的SGT技术平台及紧凑型PDFN5060表面贴片封装等优势，SMT300UALP 及SMT300UALPS 在低压大电流应用中实现低导通损耗、高电流承载能力与高可靠性能的平衡。
SMT300UALP/SMT300UALPS已完成海内外客户验证，并进入量产阶段。凭借超低导通阻抗、增强型SOA性能及高可靠性设计，为下一代高功率密度电源架构提供兼具高效率与高可靠性的功率器件解决方案。
未来，中晶新源将持续完善SGT MOSFET产品矩阵，推动高性能功率器件在AI电源及高功率密度应用中的规模化部署，为下一代电源架构提供先进功率半导体产品。
产品
交叉参考