随着AI算力与新能源系统升级，功率半导体正从「单点器件优化」走向「系统效率与功率密度协同提升」，低损耗与快速动态响应已成为核心性能驱动因素。
围绕这一变化，中晶新源依托行业领先的自研复合结构SGT技术平台，推出面向AI服务器电源应用的80V顶规产品—SMT8001AHP，以更高效率、更强可靠性，助力高密度电源系统实现能效跃迁。
聚焦AI高密度电源
系统效率协同提升
该器件采用长引脚设计，在PDFN5060紧凑小型化封装内实现低至1.2mΩ超低导通阻抗，性能比肩世界头部大厂 I* 友商同类产品，并兼容封装。同时，通过优化器件结构设计，实现更低的寄生电容与栅极电荷，显著改善高频开关条件下的动态响应能力与驱动效率；较同类产品，Ciss/Coss 降低 15%，Qg 降低 8%。
该产品在效率、动态性能与热设计裕量之间实现系统级平衡优化，综合性能达行业领先水平，真正实现高端进口替代，已在多个头部电源客户验证通过并规模化量产。
复合结构SGT创新突破
行业领先水平
基于SGT技术平台，优化导通损耗与开关损耗，在高频工况下降低整体能量损耗，提高系统转换效率
优化器件开关动态特性，使其在更高 di/dt 与 dv/dt 条件下仍保持稳定运行，从而适配高频 PWM 及快速负载变化应用场景
通过损耗与热路径协同优化，增强系统在高功率密度设计下的持续运行能力，支持电源系统向更高集成度方向演进
多元电源场景全覆盖
系统方案灵活适配
提升二次侧整流效率表现
改善轻载与动态负载效率
优化高频运行稳定性
适配紧凑电源砖设计（更小型DFN3333已布局）
提升模块级功率密度
有助于改善系统级PCE和PUE
双面散热升级版
热管理能力全面强化
基于SMT8001AHP平台，中晶新源同时推出双面散热版本SMT8001AHPDC3。该版本在延续原有优越静态及动态性能的基础上，进一步强化器件热管理能力与散热效率，为高频电源系统在更紧凑空间内实现更高功率输出，并提供长期可靠性保障。
目前，SMT8001AHP 及 SMT8001AHPDC3 均已开放样品申请，供客户开展系统级评估与应用验证，助力其在高功率密度应用场景中的导入与规模化落地。
中晶新源将以AI应用爆发为重要契机，持续深耕迭代SGT技术平台，通过多元核心技术协同突破与差异化创新驱动，强化系统级应用深度匹配能力，为下一代AI与能源系统提供更高性能、更高效率的底层动力支撑。
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交叉参考