随着AI算力、新能源及车载电子系统的快速发展，电源系统正向高功率密度、高效率和高可靠性演进，推动了对高效能、高频率和超低功耗功率芯片突破刚需，且单机用量x倍数提升，引发供给侧重塑，激发大量SGT 芯片需求，高性能芯片迭代能力价值凸显。
因机借势，中晶新源深耕新一代中低压最领先 SGT 技术，单点打穿，高端突破，引领迭代，脱颖而出。依托于战略股东国内顶尖功率晶圆厂鼎力支持，坚持强研发投入，携强产品团队与核心专利技术，针对特定应用优化，构建 “特色IP设计+ 特色SGT平台+特色功率封装”，以敬畏之心工匠级打磨，终达成 “世界级水准”，实现一系列顶规 SGT 产品首发，多领域标杆客户规模量产，形成很好口碑效应，并得到国际巨头客户认可。
基于自主创新的差异化SGT技术平台，中晶新源推出120V N沟道大功率MOSFET—SMT12T02AHPWQ (PDFN5060-8L-W)，突破性实现2.5mΩ超低导通电阻及优化的开关性能，可明显降低系统功率损耗，提升电源转换效率。器件采用Wettable Flank封装工艺，支持AOI自动检测。
目前，SMT12T02AHPWQ已完成标杆客户验证并实现量产导入，广泛应用于 AI 服务器电源、车载电源、通信电源及工业设备电源等高功率密度场景。
SMT12T02AHPWQ在导通性能、开关性能与可靠性之间实现优化平衡。在VGS=10V条件下，产品典型导通阻抗低至2.5mΩ；TC=25℃ 环境下，连续漏极电流可达166A，最大功率耗散能力达176W，为高电流工作条件提供可靠设计裕量。
在动态性能方面，SMT12T02AHPWQ具备Qg（典型值63nC）、优化Coss及低 Qrr等反向恢复特性，可降低开关损耗并提升高频转换效率。同时，优异的开关特性有助于降低瞬态电压过冲与振铃，简化系统EMI设计。
器件采用Wettable Flank封装工艺结合源极Fused Leads与长引脚设计，相比传统PDFN5060-8L封装，源极和PCB接触面积提升近70%，有效增强电流传输能力与散热性能；并支持100% AOI自动焊点检测，增强生产过程的可追溯性与质量一致性。
产品已通过车规级可靠性验证，具备优异的环境耐受能力和长期运行稳定性，为汽车电子、AI电源及工业应用提供高可靠解决方案。
基于SMT12T02AHPWQ技术平台，中晶新源将持续扩展120V SGT MOSFET产品系列，推出具备更低Qrr和更优反向恢复性能的产品组合，满足不同功率应用需求。
通过完善SGT MOSFET产品矩阵，覆盖AI电源、车载电源、大功率快充及工业电源等关键应用领域，为客户提供高效率、高可靠性的功率器件产品，助力下一代电源系统升级。
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