中晶新源 Source Lead-Fused 引脚设计封装 车规级 PDFN5060-8L-W 国产首发_产品新闻_中晶新源(上海)半导体有限公司

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中晶新源 Source Lead-Fused 引脚设计封装 车规级 PDFN5060-8L-W 国产首发
产品新闻
2024.10.26

集设计、研发、生产和销售为一体的强技术导向型功率芯片供应商【中晶新源(SiNESEMI)】陆续向市场推出业界领先、通流能力更强、散热性能更佳的Lead-fused引脚设计的新一代车规级封装系列:PDFN5060-8L-W、sTOLL 7x8及TOLL 10x12, 该系列产品跨度40V至200V电压范围,真正对标国际一线大厂。本次专题重点推荐车规级封装PDFN5060-8L-W的核心优势与产品竞争力。



中晶新源 Source Lead-Fused 引脚设计封装 车规级 PDFN5060-8L-W 国产首发(图1)


中晶新源近期推出的车规级PDFN5060-8L-W封装系列产品,在S源极采用了Lead-fused的引脚设计并加配Wettable Flanks,相比传统PDFN5060-8L封装, S源极同PCB板接触面积提升近70%,最大封装电流能力从100A增加到120A,极限能力提升20%, 实现更高电流密度和更佳散热能力,更契合高功率EPS、I-booster等底盘类应用;引脚使用Wettable Flanks设计不仅增强了Solderability焊接能力,而且便于器件PCB焊接AOI的检测,进一步提升器件板级可靠度,符合汽车类封装要求趋势。


PDFN5060-8L-W 热仿真测试


01
同传统封装PDFN5060-8L进行热模拟比较

输入300W功率,模拟仿真PDFN5060-8L封装的引脚区域散热能力,结果直观显示其具备更好的散热能力,温度低22℃,降幅达15.8%


中晶新源 Source Lead-Fused 引脚设计封装 车规级 PDFN5060-8L-W 国产首发(图2)

  • PDFN5060-8L-W source lead-fused 类型 

  • Max.Temp. :117.72°C



中晶新源 Source Lead-Fused 引脚设计封装 车规级 PDFN5060-8L-W 国产首发(图3)

  • 传统 PDFN5060-8L 类型

  • Max Temp. :139.12°C



中晶新源 Source Lead-Fused 引脚设计封装 车规级 PDFN5060-8L-W 国产首发(图4)


中晶新源 Source Lead-Fused 引脚设计封装 车规级 PDFN5060-8L-W 国产首发(图5)



02
同业界 LFPAK56 封装进行热模拟比较

同样输入300W功率,模拟仿真PDFN5060-8L-W封装的引脚区域散热能力,同样具备更好的散热能力,温度低了17℃,降幅达12.6%;相比 LFPAK56封装,其在成本架构方面也有明显优势,助力汽车客户实现高效、高性价比的解决方案。


中晶新源 Source Lead-Fused 引脚设计封装 车规级 PDFN5060-8L-W 国产首发(图6)

  • PDFN5060-8L-W source lead-fused 类型

  • Max.Temp. :117.72°C



中晶新源 Source Lead-Fused 引脚设计封装 车规级 PDFN5060-8L-W 国产首发(图7)

  • LFPAK56

  • Max.Temp. :134.59°C



中晶新源 Source Lead-Fused 引脚设计封装 车规级 PDFN5060-8L-W 国产首发(图8)


中晶新源 Source Lead-Fused 引脚设计封装 车规级 PDFN5060-8L-W 国产首发(图9)


除汽车应用外,在一些高端电源领域,产品朝着体积更小、功率密度更高的趋势发展,往往需要保证电源在极端温度条件、强冲击振动等各种复杂环境下供电的稳定性。这无疑对MOSFET产品的可靠性、通流能力提出了非常严苛的要求,这些场合往往也需要使用车规级MOSFET产品,以300W高端电源为例。


SMT4003AHPWQ (Lead fused) 在300W高端电源中的应用


Q3、Q4、Q5、Q6 为 SMT4003AHPWQ 。系统输入电压为交流 115V/230V,输出电压为直流12V/25A,输出功率300W。


中晶新源 Source Lead-Fused 引脚设计封装 车规级 PDFN5060-8L-W 国产首发(图10)

【LLC双路输出电路图 (300W;100KHZ)】

01
SMT4003AHPWQ在300W AC/DC电源效率

PDFN5060 Lead fuse引脚设计封装产品,在100KHZ、300W的LLC电源应用中,系统效率高达 94% ,远超普通电源产品的标准,性能卓越。


中晶新源 Source Lead-Fused 引脚设计封装 车规级 PDFN5060-8L-W 国产首发(图11)


中晶新源 Source Lead-Fused 引脚设计封装 车规级 PDFN5060-8L-W 国产首发(图12)


02
与LFPAK56 世界第一友商对比

SMT4003AHPWQ 凭借其创新的 Lead fused引脚设计,在系统效率领域与业界顶尖友商并驾齐驱,系统效率达行业领先水平。


中晶新源 Source Lead-Fused 引脚设计封装 车规级 PDFN5060-8L-W 国产首发(图13)


中晶新源 Source Lead-Fused 引脚设计封装 车规级 PDFN5060-8L-W 国产首发(图14)


    相关器件选型



中晶新源 Source Lead-Fused 引脚设计封装 车规级 PDFN5060-8L-W 国产首发(图15)

SMT6001BHPWQ

SMT6002AHPWQ

SMT10T02AHPWQ



往期回顾


中晶新源 Source Lead-Fused 引脚设计封装 车规级 PDFN5060-8L-W 国产首发(图16)


中晶新源 Source Lead-Fused 引脚设计封装 车规级 PDFN5060-8L-W 国产首发(图17)




- END -


【中晶新源】成立于 2017 年,注册资金5,000万元。由国内顶尖晶圆厂重点投资、成建制欧美大厂核心团队引领,聚焦研制国际领先功率芯片,主要从事高效能高可靠功率半导体的研发设计、先进功率封装研发制造、市场销售和应用服务。攻坚关键核心技术与国产空白突破,致力于全产业链资源垂直整合,协同国内顶尖晶圆厂,打造技术领先、安全供应链、高效交付、成本优势及匠心品质,对标国际一线 IDM 大厂。


产品聚焦新一代车规级 SGT 全电压系列 (对标世界第一,中低压Si-MOSFET最前沿技术)、高压 SJ-MOSFET 650V 系列 (对标世界第一, 高压Si-MOSFET领先主流技术)、小信号及新一代整流器 SGR、车规级 MOSFET、IGBT 单管及模块(对标世界前二大),并扩展至车规级 IGBT 、功率 IC、宽禁带半导体 GaN 和 SiC MOSFET 等广泛应用于高速增长的新能源汽车、光储充、AI 服务器、机器人、电动工具、无人飞机、高频电源、泛工业领域等。


公司坚持长期主义,坚持高品质,持续耕耘 “核心技术” 与 “长期价值”,通过 “技术领先” 、“强供应链支持”、“差异化布局”、“高质量服务” 四轮驱动竞争优势与护城河,主打质量信赖、高难度、高附加值、专业化、定制化能力与一站式方案优势,用高品质为客户创造“独特” 价值。


中晶新源 Source Lead-Fused 引脚设计封装 车规级 PDFN5060-8L-W 国产首发(图18)

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