集设计、研发、生产和销售为一体的强技术导向型功率芯片供应商【中晶新源(SiNESEMI)】凭借强大的产品、工艺、设计以及供应链整合能力，特此专题推荐业界领先的SMT4005系列车规级MOSFET，旨在满足汽车水泵小型化、紧凑化、高效率的应用需求。双通道车规级MOSFET-SMT4005AHPDQ等车规产品已通过国际No.1检验机构SGS严苛的AEC-Q101认证，全球客户认可，可高效提供PPAP。与欧美大厂对标产品相比，导通阻抗领先约10%，FOM值改善约15%，实现更高效率、更低功耗、更低温升；同时增加耐压裕量及芯片安全冗余设计，进一步提升安全系数！
在实际应用电路中，系统整体功率损耗将大幅减少，非常适用于汽车中小功率150W以下的三相BLDC电机领域，如水泵、油泵、车窗、天窗、尾门等。SMT4005AHP(D)Q已批量出货至整车终端客户，多家客户对中晶新源质量管控、高效交付、团队专业化及股东晶圆厂鼎力支持高度认可，持续创造中国先进车规功率芯片完整生态链及国产化合作佳话，共享共赢！
产品优势
A、B、C三相定子绕组通过星型连接，并直接与三相逆变器的开关电路连接。Q1作为电池的防反接保护，三相逆变器里包含六个 MOSFET，上桥臂有Q2、Q4、Q6，下桥臂有Q3、Q5、Q7。
① 电机相电流 & MOSFET门机驱动波形
② 温升测试
③ 效率
(MOSFET导通损耗计算公式)
参照电机世界能耗标准，系统能耗标准达到最高等级IE5。
MOSFET的温升最高为54.7℃，器件整体损耗较小，所以温升不高；在72%负载输出时，系统整体效率超过90%。此外，BLDC电机应用，FOMg代表器件的整体损耗大小。
① 热仿真
② 电路级仿真（Pspice Model)
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降低MOSFET在关断过程中由di/dt形成的Vds振铃，优化EMI
防止上下管直通，由dv/dt通过米勒电容Cgd耦合形成的电压振荡引起MOSFET误导通
适当增大Ciss,因新技术Ciss较小，避免驱动回路形成RLC欠阻尼振荡，引起Vgs的振荡
Crss/Ciss比例间接增大，优化EMI
"缩短" 米勒平台的时间
进一步吸收Vds的振铃
SMT4005AHPQ/SMT4005AHPDQ 均已量产，可提供样品，如有需求，请联系中晶新源销售团队或邮件至sales@sinesemi.com获取。
更多产品信息请访问www.sinesemi.com。
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