中晶新源TOLL封装120V 业界性能顶规 MOSFET - SMT12T01AHTL_产品新闻_中晶新源(上海)半导体有限公司

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中晶新源TOLL封装120V 业界性能顶规 MOSFET - SMT12T01AHTL
产品新闻
2024.12.15

中晶新源发布TOLL封装120V SGT 业界性能顶规 1.35mΩ N通道 MOSFET - SMT12T01AHTL(图1)


集设计、研发、生产和销售为一体的强技术导向型功率芯片供应商【中晶新源(SiNESEMI)】重磅发布120V-TOLL封装 MOSFET- SMT12T01AHTL。该器件具备行业领先的超低导通阻抗及电气性能,在电动汽车、无人机、电动摩托车、电动自行车、电池保护及通信电源等高功率密度、大电流应用中表现出高效率、高可靠性和高稳定性,已被多家标杆客户验证进入量产。


中晶新源 (SiNESEMI) 坚持高品质、专注创新、可持续打造技术领先、差异化、高效率与高附加值,不断为广大客户创造中晶 “独特” 价值!SMT12T01AHTL 量产即实现高效供货支持,助力客户高效能方案冲刺拓展,协同打造又一 “共享共赢” 成功案例。

随着汽车电气化趋势加速推进,车载48V系统备受整车厂关注。中晶新源基于自身技术优势,不断拓展车规级产品布局并将推出 80 ~ 120V TOLL车规产品,为48V [DC/DC] 、[Power Train (Motor Driver)] 应用提供更高效、更安全、更低成本的解决方案。



Leading Edge 120V SGT MOSFET in TOLL Package

这款 393A、120V / N 沟道功率 MOSFET具有宽SOA、强雪崩能力和极低的通态电阻 (RDS(ON)_Typ 1.35mΩ),同时具备快速的开关能力 (Q仅为135nC),能显著降低系统功率损耗,符合日益严苛的能效标准


SMT12T01AHTL 成功将低导通电阻和大电流承载能力相结合,进一步为高可靠性、高效率的应用带来最高功率密度,同时也能减少大电流应用 MOSFET 的数量,用更少的器件实现更大的过电流能力,从而节省整个系统成本。

中晶新源发布TOLL封装120V SGT 业界性能顶规 1.35mΩ N通道 MOSFET - SMT12T01AHTL(图2)

  • 导通阻抗RDS(ON)代表器件导通状态下的阻值功耗,愈低愈佳

  • FOM为性能品质因子,数值越小代表技术越领先



TOLL 封装技术特点

相比传统的TO263-3L & TO263-7L封装,TOLL封装的PCB占板面积减少了20%,高度降低了50%,电路板空间减少了60%,非常适用于低压大电流的高功率应用领域‌。低寄生电感可以减小MOSFET开关过程中的尖峰电压、振铃、噪声,卓越的EMI能力为中高频应用提供强大的技术支撑。

中晶新源发布TOLL封装120V SGT 业界性能顶规 1.35mΩ N通道 MOSFET - SMT12T01AHTL(图3)


高可靠性-Wettable Frank 引脚设计,不仅增强了Solderability焊接能力,而且便于器件PCB焊接AOI的检测,进一步提升器件板级可靠度。



中晶新源发布TOLL封装120V SGT 业界性能顶规 1.35mΩ N通道 MOSFET - SMT12T01AHTL(图4)




SMT12T01AHTL 无人机应用方案


中晶新源发布TOLL封装120V SGT 业界性能顶规 1.35mΩ N通道 MOSFET - SMT12T01AHTL(图5)

【电路原理图】


中晶新源发布TOLL封装120V SGT 业界性能顶规 1.35mΩ N通道 MOSFET - SMT12T01AHTL(图6)

【电驱部分测试波形】


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【BMS 充放电保护测试波形】


中晶新源发布TOLL封装120V SGT 业界性能顶规 1.35mΩ N通道 MOSFET - SMT12T01AHTL(图8)

【MOSFET 五颗并联外围电路设计参考】




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以上产品均已量产销售。欲了解更多信息,请访问中晶新源官方网站:www.sinesemi.com  或联系 sales@sinesemi.com。



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【中晶新源】成立于 2017 年,注册资金5,000万元。由国内顶尖晶圆厂重点投资、成建制欧美大厂核心团队引领,聚焦研制国际领先功率芯片,主要从事高效能高可靠功率半导体的研发设计、先进功率封装研发制造、市场销售和应用服务。攻坚关键核心技术与国产空白突破,致力于全产业链资源垂直整合,协同国内顶尖晶圆厂,打造技术领先、安全供应链、高效交付、成本优势及匠心品质,对标国际一线 IDM 大厂。


产品聚焦新一代车规级 SGT 全电压系列 (对标世界第一,中低压Si-MOSFET最前沿技术)、高压 SJ-MOSFET 650V 系列 (对标世界第一, 高压Si-MOSFET领先主流技术)、小信号及新一代整流器 SGR、车规级 MOSFET、IGBT 单管及模块(对标世界前二大),并扩展至车规级 IGBT 、功率 IC、宽禁带半导体 GaN 和 SiC MOSFET 等广泛应用于高速增长的新能源汽车、光储充、AI 服务器、机器人、电动工具、无人飞机、高频电源、泛工业领域等。


公司坚持长期主义,坚持高品质,持续耕耘 “核心技术” 与 “长期价值”,通过 “技术领先” 、“强供应链支持”、“差异化布局”、“高质量服务” 四轮驱动竞争优势与护城河,主打质量信赖、高难度、高附加值、专业化、定制化能力与一站式方案优势,用高品质为客户创造“独特” 价值。


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