助力新能源行业高质量发展 | 中晶新源荣获首张光储充电能转换装置用功率半导体器件产品认证证书_公司新闻_中晶新源(上海)半导体有限公司

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助力新能源行业高质量发展 | 中晶新源荣获首张光储充电能转换装置用功率半导体器件产品认证证书
公司新闻
2024.11.15
2024年11月7日至11月8日【第二届新型电力系统场景下电气装备高质量发展论坛】于上海隆重召开。论坛由中国机械工业联合会指导,中国电器工业协会支持,上海电器科学研究所(集团)有限公司和上海电科院技术有限公司主办,衷心感谢论坛举办方的精心组织安排与邀请。


论坛期间,上电科集团的认证品牌—上海添唯认证技术有限公司 (TILVA) 正式授予中晶新源(上海)半导体有限公司(以下简称“中晶新源”)光储充电能转换装置用功率半导体器件产品认证证书。

助力新能源行业高质量发展 | 中晶新源荣获首张光储充电能转换装置用功率半导体器件产品认证证书(图1)
获此证书不仅表明中晶新源的功率器件已经通过了权威机构的全方位技术评估和严苛测试,完全符合光储充电能转换装置对功率半导体的技术要求和质量标准,同时证明了该认证产品在电气性能、热性能及质量可靠性等方面均达国际先进水平,也是对中晶新源在技术研发、产品质量和行业标准符合性方面的高度认可。




助力新能源行业高质量发展 | 中晶新源荣获首张光储充电能转换装置用功率半导体器件产品认证证书(图2)


作为一家专业的功率芯片制造商,中晶新源以 “用中国芯片推动新能源绿色革命” 为使命,凭借其业界领先的技术,不断丰富产品矩阵,助力客户实现更高功率密度及更高效率。持续高效为光储充行业提供一系列先进的解决方案,开发多款高性能MOSFET及IGBT 模块,助力客户轻松应对设计挑战及行业高质量发展。



01  高压 SJ MOSFET 产品优势



  • 高冗余芯片设计,增强抗雪崩能力与短路电流能力

  • 优化体二极管,增强dv/dt能力,降低Qrr和电压尖峰

  • 优化Qg和Crss/Ciss比值,降低开关损耗,提升器件抗干扰能力

  • 深沟槽、多层外延工艺双向布局,支持多种应用技术需求


助力新能源行业高质量发展 | 中晶新源荣获首张光储充电能转换装置用功率半导体器件产品认证证书(图3)


02  SGT MOSFET 产品优势



  • 业界领先的FOM值 【RDS(ON)*Qg】,对标世界第一

  • 175°C高结温,低功率损耗,低器件温升,高系统效率

  • 高耐压冗余设计,高安全冗余设计,更可靠更安全 

  • Vth分档管理,确保器件参数一致性,大功率多管并联 “无忧”

  • 优化EAS和SOA抗短路能力,让电池保护电路更加安全可靠


助力新能源行业高质量发展 | 中晶新源荣获首张光储充电能转换装置用功率半导体器件产品认证证书(图4)


03  IGBT 产品优势



  • 高功率密度,采用中点钳位技术的三电平逆变模块

  • 采用大规格晶圆,减少并联数量,提高均流及模块可靠性

  • 低电感布局,减小关断尖峰,利于驱动和EMI 设计

  • 相较进口竞品,损耗减小7%,转换效率提升0.13%,提升功率密度

  • 相较进口竞品,实测BV值提升6.2%,更宽的安全裕量,满足客户复杂的应用场景


助力新能源行业高质量发展 | 中晶新源荣获首张光储充电能转换装置用功率半导体器件产品认证证书(图5)

未来,公司将继续聚焦“双碳”的发展趋势,坚持技术创新,坚持高品质,持续耕耘 “核心技术” 与 “长期价值”,不断提升产品和服务的竞争力,为中国新能源产业可持续发展贡献一份有机力量。




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【中晶新源】成立于 2017 年,注册资金5,000万元。由国内顶尖晶圆厂重点投资、成建制欧美大厂核心团队引领,聚焦研制国际领先功率芯片,主要从事高效能高可靠功率半导体的研发设计、先进功率封装研发制造、市场销售和应用服务。攻坚关键核心技术与国产空白突破,致力于全产业链资源垂直整合,协同国内顶尖晶圆厂,打造技术领先、安全供应链、高效交付、成本优势及匠心品质,对标国际一线 IDM 大厂。


产品聚焦新一代车规级 SGT 全电压系列 (对标世界第一,中低压Si-MOSFET最前沿技术)、高压 SJ-MOSFET 650V 系列 (对标世界第一, 高压Si-MOSFET领先主流技术)、小信号及新一代整流器 SGR、车规级 MOSFET、IGBT 单管及模块(对标世界前二大),并扩展至车规级 IGBT 、功率 IC、宽禁带半导体 GaN 和 SiC MOSFET 等广泛应用于高速增长的新能源汽车、光储充、AI 服务器、机器人、电动工具、无人飞机、高频电源、泛工业领域等。


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