电机启动（数十ms）及堵转短路电流，对 MOSFET 瞬态抗冲击能力要求严苛
更宽 SOA曲线显著提升系统设计安全性与可靠性
自动均流能力有效提升器件并联工作时的一致性
10ms单脉冲 SOA对比显示，SMT10T03DHP 在 VDS>30V 时，SOA 性能领先国内外同类竞品
适配热插拔、电机 、BMS等高压 SOA 严苛场景
当系统输入电压为48V，并且希望在8ms内限制输出电流不超过2A，工程师可以参考 MOSFET SOA 的10ms曲线。用户一般选择VDS=50V，单脉冲时间为(10~100)ms时，MOSFET SOA 范围内的电流能力是衡量器件在热拔插应用中性能的一个重要因素。
中晶新源已构建 40V、100V线性SGT MOSFET 矩阵，搭配多种封装类型提供全场景解决方案，覆盖服务器电源、通信电源、汽车电控及电池保护等场景。
SMT10T03DHP、SMT10T03DHSS、SMT10T03DHTS 已量产，更多信息请访问中晶新源官网www.sinesemi.com 或通过中晶小程序一键获取Datasheet。
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