GaN_中晶新源(上海)半导体有限公司

GaN
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氮化镓功率晶体管在关键参数上优于硅基器件,兼具高漏源电压等特性,是工业、汽车领域高效高功率密度应用的核心解决方案。

⦁ 高漏源电压、零反向恢复电荷,适配工业 / 汽车高压高频场景​
⦁ 满足工业 / 汽车对高效、高功率密度的核心应用需求​
⦁ 助力设备小型化、降本增效,提升工业 / 汽车应用可靠性
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