集设计、研发、生产和销售为一体的强技术导向型功率芯片供应商【中晶新源 (SiNESEMI)】针对无人机应用解决方案，结合自身在该领域强大的技术实力和创新能力，推出业界性能领先、高性价比且经过严苛测试的高可靠性SGT MOSFET产品组合。
➧ 无人机应用对MOSFET的严苛要求
高功率密度与大电流承载：重负载无人机电机功率大，MOSFET需同时具备大电流承载能力及高功率密度，以减少系统的体积
低阻高速开关：具备低导通电阻的MOSFET可降低导通损耗，有助于提升系统效率与续航时间，其快速开关特性有利于电机控制信号的快速响应，有效保障设备精确控制与平滑飞行
大电流速断：无人机在急加（减）速或堵转时，电流会瞬间增大，因此要求MOSFET具备宽SOA大电流快速关断能力，避免设备失速
为了满足无人机应用对系统效率及安全可靠性的严苛要求，中晶本次推荐的 30 ~ 150V MOSFET产品组合做了更好的Trade-off, 在保持 Low Qg 的前提下，进一步对导通电阻进行深度优化。当VGS=10V 时，该系列产品导通电阻范围0.43mΩ ~ 3.4mΩ，FOM值48 ~ 330，可根据客户定制化方案的具体需求，定位相应的器件选型档位，提供有力的支持与协助。
低导通电阻
低 Qg, Qsw, Qgd
Low Trr/Qrr
出色的品质因素FOM
宽 SOA
Vth 参数高度一致性
低导通损耗
低开关损耗
低振铃、低噪声
高系统效率
安全冗余设计
多管并联, 均流性优
无人机应用方案及测试数据
Rg=110Ω，Cg=1nF；下管DS波形上升时间由50nS上升到 80nS，死区时间为 420nS
调整 gate RC 配比后，保持上升时间跟初始状态相近，优化解决振铃问题；同步测试烧机15分钟后，在环境温度为23°C时，MOSFET 测试壳温为 41.3°C
针对无人机的大功率应用趋势，中晶新源推出新双面散热封装，该结构能够通过顶部以最直接的方式连接至散热器，其散热能力相比底部散热MOSFET提高了三倍，电流承载能力大幅提升。
国内首家实现100V PDFN5060-8L顶规产品，导通阻抗小于2.0mΩ, 媲美国际一线大厂
PDFN5060双面散热100V的RDS(ON)典型值为2.0mΩ, 远低于其他竞争对手, FOM(Qg) 业界最低
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欲了解更多产品详细信息，请联系中晶销售团队或访问中晶新源官网www.sinesemi.com。
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