光伏和储能产业继续保持增长态势,无论是制造环节还是应用市场都呈现超出预期的发展。 高效能:光伏系统需要高压功率器件具备高效能的特点,以确保系统能够正常运行并产生最大的发电量。这要求功率器件在能量转换过程中具有较低的功率损耗,以提高整个系统的效率。 高安全性:由于光伏系统通常运行在户外环境,并且需要处理高电压和大电流,过压、短路处理能力。因此高压功率器件必须具备高安全性、高可靠性、强鲁棒性的特点。 高稳定性:在不同的气候条件、温度范围、光照强度工况下,逆变器的使用寿命从10年到25年不等,取决于具体类型,大多数组串逆变器的使用年限在10年左右。 针对光伏/储能等清洁能源,SiNESEMI专门开发了高效能、高可靠性、高开关频率的第三代高压功率器件,如Super Junction、SiC MOSFET、GaN、IGBT、IGBT Module及其Gate Driver。 针对SiC MOSFET,为了让器件更快,Rds(on)、Crss、Qg、Coss等进行了trade-off,以支持更高的功率密度,更低的系统损耗,从而实现更高的系统效率。 针对IGBT单管及模块, SiNESEMI 专门优化了Vcesat、Eon、Eoff、热阻、Qg等关键技术参数,二极管采用特有的技术优化了Qrr、Trr、Irrm、VF等关键技术参数,进一步提升了其软特性和EMI能力。